XM在线交易资讯: 曝三星加快研发 HBM4E 芯片，基础裸片有望采用 2nm 制程

IT之家3月13日消息，据韩媒Business Korea昨天报道，三星电子计划在下一代HBM芯片中应用2nm制程工艺，在提升技术竞争力的同时紧密结合内存制造、半导体（881121）代工能力。

行业人士透露，三星正在为第七代HBM(HBM4E)的base die评估2nm制程工艺。

从原理层面讲，HBM由core die和base die组成，前者是垂直堆叠的DRAM，后者则是起控制器作用。在HBM3E之前，base die只负责较为简单的控制功能，但从HBM4时代开始，它需要直接处理部分计算任务，逻辑电路功能得到加强，重要性显著提升。

为了提升HBM4的性能，三星电子已经找到三星晶圆代工部门生产4nm工艺base die，并结合了最先进的1c DRAM(第六代10nm工艺)，成功领先采用台积电（TSM）12nm工艺的SK海力士。

半导体（881121）行业预计，从HBM4E开始，面向客户定制的HBM芯片将正式出现，其中三星计划年中发布标准版HBM4E，下半年则根据客户安排为定制产品进行首次tape-in(IT之家注：流片)。